Zwieranie sygnału do masy za pomocą N-FET-ów

Układy półprzewodnikowe pełniące ważne funkcje pomocnicze w układach lampowych.

Moderatorzy: gsmok, tszczesn, Romekd, Einherjer, OTLamp

Awatar użytkownika
Marvel
3125...6249 postów
3125...6249 postów
Posty: 3899
Rejestracja: pn, 28 stycznia 2008, 12:37
Lokalizacja: Zamość

Zwieranie sygnału do masy za pomocą N-FET-ów

Post autor: Marvel »

Witam,

Potrzebuję na zmianę zwierać do masy tor sygnału raz w trzech miejscach jednocześnie (wejścia J1-J3) a raz w jednym (wejście J7) i zapalać na zmianę dwie diody LED. Jako elementy "wykonawcze" wybrałem tranzystory J-FET 2SK30A przede wszystkim dlatego, że zajmują mało miejsca na płytce, więc mogę je umieścić tam, gdzie mi się podoba. Na bramki tranzystorów napięcie chcę podawać przekaźnikiem DPDT. Cewka przekaźnika będzie z kolei załączana przełącznikiem umieszczonym poza wzmacniaczem (a dokładnie pod nogą).

Czy to zadziała? :?
Nie masz wymaganych uprawnień, aby zobaczyć pliki załączone do tego posta.
Pozdr, Marcin
The secret to creativity is knowing how to hide your sources. - Albert Einstein
marvelamps.com
traxman

Re: Zwieranie sygnału do masy za pomocą N-FET-ów

Post autor: traxman »

Sterowanie tranzystora przekaźnikiem to rozwiązanie dosyć udziwnione, dlaczego nie zwierać sygnału samym przekaźnikiem, jak braknie styków to można dać większa ilość. Jest masa przekaźników sygnałowych idealnie do tego się nadających np. AZ850 i odpowiedniki. Można też całkowicie zrezygnować z przekaźników i sygnał zwierać tranzystorami nawet npn jeżeli nie ma potrzeby regulacji jego poziomu. Idealne do tego są klucze CMOS 4066, 4051/52/53, ale trzeba zwrócić uwagę na zakresy napięć wejściowych. Nie pozostawia się wiszących w powietrzu bramek - podobnie jak w lampach siatek S1.
Awatar użytkownika
tszczesn
moderator
Posty: 11244
Rejestracja: wt, 12 sierpnia 2003, 09:14
Lokalizacja: Otwock

Re: Zwieranie sygnału do masy za pomocą N-FET-ów

Post autor: tszczesn »

Marvel pisze: Potrzebuję na zmianę zwierać do masy tor sygnału raz w trzech miejscach jednocześnie (wejścia J1-J3) a raz w jednym (wejście J7) i zapalać na zmianę dwie diody LED. Jako elementy "wykonawcze" wybrałem tranzystory J-FET 2SK30A przede wszystkim dlatego, że zajmują mało miejsca na płytce, więc mogę je umieścić tam, gdzie mi się podoba. Na bramki tranzystorów napięcie chcę podawać przekaźnikiem DPDT. Cewka przekaźnika będzie z kolei załączana przełącznikiem umieszczonym poza wzmacniaczem (a dokładnie pod nogą).

Czy to zadziała? :?
Teraz napięcie +5V zwierane jest diodą braka-źródło. Ja bym jeszcze dodał w szereg z wejściem rezystory, jakieś 10kΩ, aby coś ograniczało zwierany sygnał, teraz do zwarcia służy tylko oporność wyjściowa źródła sygnału (nie wiem jaka). A nie lepiej wykorzystać jakieś klucze CMOS, np. popularne 4066 czy DG411?
Awatar użytkownika
Tomasz Gumny
1875...2499 postów
1875...2499 postów
Posty: 2301
Rejestracja: pn, 1 stycznia 2007, 23:18
Lokalizacja: Trzcianka/Poznań

Re: Zwieranie sygnału do masy za pomocą N-FET-ów

Post autor: Tomasz Gumny »

Marvel pisze:Potrzebuję na zmianę zwierać do masy tor sygnału raz w trzech miejscach jednocześnie (wejścia J1-J3) a raz w jednym (wejście J7)
Czy coś wiadomo o potencjałach na jakich znajdują się te zwierane linie sygnałowe?
Tomek
Awatar użytkownika
Marvel
3125...6249 postów
3125...6249 postów
Posty: 3899
Rejestracja: pn, 28 stycznia 2008, 12:37
Lokalizacja: Zamość

Re: Zwieranie sygnału do masy za pomocą N-FET-ów

Post autor: Marvel »

Dzięki za rady. Faktycznie zrobię albo same przekaźniki (trzy dwutorowe to nie jest dużo przecież) albo zainteresuję się wreszcie kluczami, bo coś czuję, że mnie to nie minie ;-)

Linie sygnałowe można przyjąć, że są na potencjałach siatek sterujących ECC83.
Pozdr, Marcin
The secret to creativity is knowing how to hide your sources. - Albert Einstein
marvelamps.com
sppp
625...1249 postów
625...1249 postów
Posty: 952
Rejestracja: pt, 23 stycznia 2009, 20:18
Lokalizacja: Legionowo

Re: Zwieranie sygnału do masy za pomocą N-FET-ów

Post autor: sppp »

Tak jak narysowałeś na rysunku to nie będzie działać. Od razu odpalisz FETy - pramiętaj, że złącze bramka-źródło to dioda a ty polaryzujesz tą diodę w kierunku przewodzenia dając dodatnie napięcie na bramkę bez żadnego ograniczenia prądu. Popłynie duży prąd i po tranzystorze. Z kolei przy wyłączeniu - u ciebie bramki wiszą w powietrzu - tranzystor się nie zatka. Żeby się zatkał to trzeba bramkę spolaryzować ujemnie względem źródła. Tranzystory JFET działają jak podobnie do triody próżniowej.
Bardzo dokładnie masz to wyjaśnione na stronie Toma:
http://www.mif.pg.gda.pl/homepages/tom/ ... Footswitch
Natomiast powinieneś wziąć pod uwagę jeszcze jeden czynnik - rezystancję dren-źródło w stanie otwartym, dla J111 - 30omów. Z tego i z impedancji wyjściowej źródła wynika współczynnik tłumienia - musisz sprawdzić, czy jest dla ciebie wystarczający. Jeśli potrzebujesz większego tłumienia wówczas dajesz układ taki jak na załączonym obrazku.
jfet.gif
Według mnie najlepszymi tranzystorami do tego rozwiązania są J111(nJFET) i J174(pJFET). Są to tranzystory skonstuowane specjalnie do pracy jako przełączniki Odradzam Ci stosowania tranzystorów 2SK30, J201 itp. - to są tranzystory skonstruowane do pracy jako wzmacniacze.
Zaletą rozwiązania na fetach w stosunku do przekaźników jest możliwość miękkiego, bezstukowego przełączania (rezystor 1M i kondensator w bramce). W sprzęcie lampowym ja jednak bym zastosował JFETy zamiast popularnych, scalonych kluczy.

Pozdrawiam, Sebastian
Nie masz wymaganych uprawnień, aby zobaczyć pliki załączone do tego posta.
Pozdrawiam
Sebastian

Jestem tylko amatorem, który może się mylić.
Uroczyście obiecuje, że będę dawał rezystor antyparazytowy na każdą siatkę i bramkę.
Awatar użytkownika
Tomasz Gumny
1875...2499 postów
1875...2499 postów
Posty: 2301
Rejestracja: pn, 1 stycznia 2007, 23:18
Lokalizacja: Trzcianka/Poznań

Re: Zwieranie sygnału do masy za pomocą N-FET-ów

Post autor: Tomasz Gumny »

sppp pisze:[...]Zaletą rozwiązania na fetach w stosunku do przekaźników jest możliwość miękkiego, bezstukowego przełączania (rezystor 1M i kondensator w bramce).
...a wadą duża wrażliwość na ładunku statyczne. Nie lubię JFET-ów, ale jeśli już muszę je stosować, to zwieram nóżki folią, którą zdejmuję po wlutowaniu wszystkich elementów.
Tomek
PzP
250...374 postów
250...374 postów
Posty: 335
Rejestracja: śr, 19 marca 2008, 09:40
Lokalizacja: Hamburg

Re: Zwieranie sygnału do masy za pomocą N-FET-ów

Post autor: PzP »

A nie MOSFETów? Na JFETach robiłem już sporo, różne przełączania, wzmacniacze napięciowe, wtórniki itp i jakoś jeszcze nie udało mi się spalić ani jednego, przynajmniej nie elektrostatycznie. Miliony efektów gitarowych Bossa i Ibaneza grają na scenach na całym świecie, w bardzo różnych warunkach, a mają bypass zrobiony właśnie na NFETach.
sppp
625...1249 postów
625...1249 postów
Posty: 952
Rejestracja: pt, 23 stycznia 2009, 20:18
Lokalizacja: Legionowo

Re: Zwieranie sygnału do masy za pomocą N-FET-ów

Post autor: sppp »

No właśnie chyba raczej chodziło Ci o MOSFETy (sławny BS170 odpalający od dotyku).
Konstrukcja JFETa jest zbliżona do tranzystora bipolarnego - zawiera złącza P-N a nie obszar cienkiej izolacji bramki jak MOSFET:
http://en.wikibooks.org/wiki/Semiconduc ... cs_of_JFET
Pozdrawiam
Sebastian

Jestem tylko amatorem, który może się mylić.
Uroczyście obiecuje, że będę dawał rezystor antyparazytowy na każdą siatkę i bramkę.
Awatar użytkownika
Tomasz Gumny
1875...2499 postów
1875...2499 postów
Posty: 2301
Rejestracja: pn, 1 stycznia 2007, 23:18
Lokalizacja: Trzcianka/Poznań

Re: Zwieranie sygnału do masy za pomocą N-FET-ów

Post autor: Tomasz Gumny »

PzP pisze:A nie MOSFETów? Na JFETach robiłem już sporo [...] i jakoś jeszcze nie udało mi się spalić ani jednego, przynajmniej nie elektrostatycznie.
Nauki pobierałem z BF245 i BF256...
Tomek