Warstwa pośrednia tworzy się między rdzeniem katody a warstwą tlenków.
Tworzy się ona wskutek działania reduktorów w podłożu na tlenki. Jednym z takich domiedszek jest krzem, który może reagować do ortokrzemianu:
Si+4BaO--->Ba2SiO4 +2 Ba
Ortokrzemian z wolnym barem może stanowić warstwę pośrednią.
Autorzy cytują za J.Seymour, J.Electr.Contr.3.1957,107, że wpływ warstwy pośreniej można pominąć w pierwszym 1000 godzin pracy lampy.
Warstwa pośrednia narasta szybciej gdy temperatura katody jest większa (szkodliwy wpływ przeżarzenia) oraz im wyższy prąd katody jest czerpany.
Obwód zastępczy warstwy pośredniej można narysować jako równoległe połączenei rezystancji tej warstwy i pojemności.
Szkodliwość warstwy pośredniej ujawnia się między innymi w spadku nachylenia chatrakterystyki:
Sa=Sa0/ (1+ Sa0*Rp)
Sa- nachylenie po danym czasie pracy
Rp-rezystancja warstwy pośredniej
Sa0-nachylenie początkowe
Autorzy przytaczają za Briggsem, że dla lampy IF860 przy rezystancji warstwy pośredniej 56 omów nachylenei spada o 30%.
Okazuje się, że warstwa pośrednia na katodach pentod jest mniejsza niż dla triod, ta z kolei jest mniejsza jest mniejsza niż dla diod.
Okazuje sie, że nawet zastosowany rodzaj getteru wpływa na oporność warstwy pośredniej. Dla getterów rozpylanych oporność jest większa niż dla nierozpylanych (o 5-35 omów).
Istnieje kilka metod pomiaru rezystancji warstwy pośredniej. Jedną z nich jest metoda prądu stałego, która wykorzystuje zjawisko zmiany nachylenia.
Są też metody impulsowe, polegające na zmianie kształtu impulsu prostokątnego.
Wreszcie, istnieje metoda mostkowa, która nie jest bardzo pracochłonna.
Mostek umożliwia pomiar rezystancji i pojemności warstwy pośredniej. Lampę mierzy się w układzie diody.
Mostek jest równoważony dla 3 częstotliwości:
10MHz, 100kHz i 100Hz. Potem postaram się zamieścić skany.
W przyszości zastanowię się nad konstrukcją takiego mostka. Ciekawe, jak wyszłoby porównanie oporności warstwy pośredniej lamp z dawnej produkcji z dzisiejszymi
