Meratronik V640 - czy kogoś to jeszcze intersuje, że da się wyleczyć każdego?

[Krecik]

cd.
Sekcja przełączająca sprzężenie zwrotne op ampowi jest wykonana jako złocone pola na laminacie szkłoepoksydowym, po drugiej stronie tej płytki jest sekcja P1c [P3c] mająca udział tylko w obsłudze omomierza. Tu kolejny błąd na schemacie - porównajcie schematy V640 z układem dyskretnym i hybrydą w tym miejscu (obydwa są powyżej), czyli na odcinku czterech styków zakresów omomierza, styki od 13 do 18 licząc od dołu. Na schemacie z hybrydą są źle narysowane połączenia pomiędzy kolumnami styków w tym obszarze;
- przetwornik AC/DC - wiadomo, co głównie robi, ale prócz przetwarzania także kompensuje ch-kę częstotliwościową op ampa. Tu też jest chyba coś nie halo narysowane, bo T13 (importowany! 2N2907) wg. schematu tylko żre prąd i nic więcej. W praktyce działa bardzo dobrze, na razie sprawdziłem, że ze 150kHz sobie radzi bez problemu;
- mikroamperomierz magnetoelektryczny 100uA, który już ktoś omówił na tym forum na okoliczność jego wymiany.

Jest kilka sprytnych myków w tym mierniku. Nie wszystkie potrafię rozszyfrować na tę chwilę, ale może Wy coś podpowiecie? Na początek dioda D1, włączona katodą w ślizgacz PR-ka 1M zrównoważania prądów wejściowych, a anodą do minusa baterii. Podczas normalnej pracy układu jest zatkana napięciem wstecznym ok.3,2V. Czyli nie przewodzi. czyli na pozór jest tak, że ślizgacz PR-ka wisi w powietrzu. No wisi i nie wisi, bo nie mógłby działać, gdyby wisiał, a działa. Ktoś wyjaśni ten pomysł inżynierów MERY?
Następna sprawa: jak się ma faza napięć na drenach i źródłach J-FETa do fazy napięć na bramkach?

[Romekd]

Czołem.

(...)
Jest kilka sprytnych myków w tym mierniku. Nie wszystkie potrafię rozszyfrować na tę chwilę, ale może Wy coś podpowiecie? Na początek dioda D1, włączona katodą w ślizgacz PR-ka 1M zrównoważania prądów wejściowych, a anodą do minusa baterii. Podczas normalnej pracy układu jest zatkana napięciem wstecznym ok.3,2V. Czyli nie przewodzi. czyli na pozór jest tak, że ślizgacz PR-ka wisi w powietrzu. No wisi i nie wisi, bo nie mógłby działać, gdyby wisiał, a działa. Ktoś wyjaśni ten pomysł inżynierów MERY?
Następna sprawa: jak się ma faza napięć na drenach i źródłach J-FETa do fazy napięć na bramkach?

Z diodą D1 sprawa może wyglądać tak, że wykorzystuje się w tym przypadku mały prąd wsteczny diody BAY55, który jest mocno zależny od temperatury, a w mniejszym stopniu od wartości spadku napięcia na diodzie. Typowa wartość prądu wstecznego tej diody wg katalogu powinna wynosić 1,5 nA, a maksymalna nie może być wyższa od 50 nA (dla spadku napięcia wstecznego 30 V; prąd diody jest dość niski, ale oporność potencjometru z którym jest połączona jest dość wysoka /1 MΩ/). V-640 był stosunkowo drogim miernikiem, więc diody te mogły być precyzyjnie selekcjonowane i dobierane na pożądaną wartość prądu wstecznego. W bardzo wielu elementach półprzewodnikowych prąd wsteczny jest niemal niezależny od napięcia, oczywiście w pewnym przedziale zmian tego napięcia, choć może być mocno zależny od temperatury, co akurat w tym przypadku może być pożądane, gdyż prąd bramek tranzystorów typu j-fet również mocno zależy od temperatury.

BAY55.PDF

Pozdrawiam
Romek

[Krecik]

Znów mała errata do poprzedniego wpisu:
jest G=22,64 >>> powinno być G=31,645
jest G=69,4 >>> powinno być G=1
jest G=217 >>> powinno być G=316,45
Eech, ten pesel...


@Romekd - to bardzo dobre wyjaśnienie sprawy, też widziałem je jako najbardziej prawdopodobne, ale pewności nie miałem, bo i skąd? Teraz można uznać to wytłumaczenie z pewne, bo na BAY55 w miernikach nie ma nadruków, tylko pomarańczowe kropki, co może wskazywać na pochodzenie/zamówienie specjalne. Zresztą coś mi się wydaje, że więcej elementów w tym przyrządzie mogła podlegać selekcji. Za czasów pracy w Unipanie sam selekcjonowałem tysiące różnych tranzystorów (głównie polskich BF245 na szumy), kondensatorów poliwęglanowych, diod na szumy i prądy wsteczne , MAA502, BC313 (sypały się w zasilaczach nanowoltomierza selektywnego typu UNIPAN 237; BC211 tamże jakoś odporniejsze były) i worki czeskich oporników, chyba z Tesli.

Rysuję schemat montażowy drugiej wersji płytki-protezy L-7006. Zmiany względem pierwszej wersji (tej z obrazka kilka wpisów wstecz) to większość rezystorów mini-melf 1%, LM285 w miejsce Zenerki, skośnookie tranzystory w.cz. prawie wszędzie, tylko na źródle prądowym T2 planuję BC550 z uwagi na niskie szumy, ale to się okaże, bo sam nie wiem co z tego wyjdzie. Zmieniłem też rozkład wyprowadzeń na taki chyba bezpieczniejszy pod względem wzbudzania się układu, wprowadzając piny osłonowe w sąsiedztwo tych krytycznych. A jak na razie to krytyczne są właściwie tylko dwa wyprowadzenia - od bramki drugiego J-FETa i dwójnika 5k1//100pF prowadzącego do niej. Ten obwód jest dziwnie wrażliwy na choćby śladowe sprzęgnięcia pojemnościowe z czymkolwiek. Dziwne trochę, bo przecież wisi na małej impedancji dzielnika sprzężenia. Bardzo możliwe, że linie przesyłowe tu mieszają, bo gdy wymieniłem przewód prowadzący do płytki dzielników sprzężenia na ekranowany, to nastąpiła znaczna poprawa co do tych wzbudzeń.
Obydwie bramki J-FETów zamyślam odseparować od laminatu przepustami teflonowymi. Ma ktoś z Was może jakieś pomysły, co tam by jeszcze zrobić słusznego?
Aaa... Podstawki scalakowe przycięte pod tranzystory i diody dla szybkich podmianek - będą.