Wzmacniacz słuchawkowy - AVT2850

[Olkus]

Poprawione + dodane rezystory źródłowe:

image-423~2.jpg

A także wersja zmodyfikowana dla zasilania pojedynczego:

image-299~2.jpg

Dobrze? Nie wykluczam ewentualnych drobnych korekt, głównie o sam zamysł chodzi.
Aha, źródło prądowe powinno dostać jeszcze rezystor.

Pozdrawiam,
A.

[Einherjer]

Wersja z zasilaniem bipolarnym: rezystory miały być źródłowe a R18 przewędrował do obwodu drenu... Czemu używasz symbolu GNDD? Drugie D zwykle oznacza "digital", a tutaj nic cyfrowego nie ma. Z górnym wyprowadzeniem R6 zrobiłeś coś dziwnego, przesuń go niżej, żeby połączenie idące do C2 nie przechodziło w miejscu łączenia R6. Oba zasilania są "Vcc+", ujemne powinno w tej konwencji być oznaczone jako Vee, a dodatnie po prostu "Vcc".
Na schemacie z pojedynczym zasilaniem R6 jest znowu połączony do FB zamiast do masy..

[Olkus]

Poprawione, teraz (mam nadzieję) wszystko dobrze:

image-363~3.jpg

GNDD było bo taki był domyślny symbol, zmieniłem. Reszta to już moje błędy...
Czym było podyktowane użycie FMMT458/558? To tranzystory wysokonapięciowe, co tu potrzebne nie jest. Porównując powinny sprawdzić się zamiennie popularne BC807/817 czy MMBT5551/MMBT5401 (ale te mają gorszą betę). Chyba, że był jakiś specjalny powód, poza tym że były pod ręką

Pozdrawiam,
A.

[Einherjer]

Poprawione, teraz (mam nadzieję) wszystko dobrze:

Oczywiście, że nie jest. Poprawiłeś R6, ale teraz połączenie drenu Q5 z Vcc przechodzi przez wyprowadzenie C2 i masz tam dodany węzeł. Skoro masz już symbol Vcc to go użyj i umieść też obok drenu Q5, żeby nie ciągnąć połączenia przez pół kartki. Czemu ma służyć C6? Jak chcesz wycelować dzielnikiem w połowę napięcia zasilania to możesz na przykład dać 39 kOm, 470 kOm i 510 kOm, będą bardziej typowe wartości.

GNDD było bo taki był domyślny symbol, zmieniłem. Reszta to już moje błędy...
Czym było podyktowane użycie FMMT458/558? To tranzystory wysokonapięciowe, co tu potrzebne nie jest. Porównując powinny sprawdzić się zamiennie popularne BC807/817 czy MMBT5551/MMBT5401 (ale te mają gorszą betę). Chyba, że był jakiś specjalny powód, poza tym że były pod ręką

Pod ręką nie były, chyba ich nawet nie mam na stanie teraz. Powodem jest pan Early, a konkretniej efekt nazwany jego nazwiskiem. Powoduje on, że rezystancja wewnętrzna tranzystora nie jest nieskończona, co zmniejsza wzmocnienie w układzie wspólnego emitera (Q6) i rezystancję dynamiczną źródła prądowego (Q9). Tak się składa, że tranzystory o wyższym dopuszczalnym napięciu kolektor-emiter mają też z reguły wyższe napięcie Early'ego a co za tym idzie większą rezystancję wewnętrzną. Stąd często we wzmacniaczach mocy zobaczysz na przykład KSC3503, który ma Uce_max 300 V. Kolejną pożądaną cechą jest niska pojemność wyjściowa. Tak się składa, że FMMT458/558 posiadają obie te cechy. Oczywiście w tym układzie jakiejś wielkiej różnicy nie zrobi, jeśli użyjesz wymienionych przez siebie tranzystorów, ale rysowałem schemat z założeniem, że ten wzmacniacz ma być wyzwaniem dla sprzętu pomiarowego
A propos wyzwań to kto mi policzy prąd spoczynkowy tranzystorów końcowych?

[Olkus]

Fakt - nie zauważyłem, że zrobiło się tam połączenie, którego ma nie być.
C6 to kondesator, który zapobiega m.in. wzbudzeniu, generalnie jest polecany do dodania na wejściu, często go też widzę na schematach i sam zwykle stosuję w tym miejscu. Zawsze można zrobić miejsce na PCB a jak nie będzie potrzebny to nie dawać.
Co do dzielnika, dostosowałem pod to co mam
Dzięki za wyjaśnienie odnośnie tranzystorów.

Pozdrawiam,
A.

[Einherjer]

C6 to kondesator, który zapobiega m.in. wzbudzeniu

W jaki sposób zapobiega wzbudzeniu?

No i dalej nie wiadomo jaki będzie prąd spoczynkowy tranzystorów wyjściowych...

[Olkus]

C6 to kondesator, który zapobiega m.in. wzbudzeniu

W jaki sposób zapobiega wzbudzeniu?

No i dalej nie wiadomo jaki będzie prąd spoczynkowy tranzystorów wyjściowych...

C6 ogranicza pasmo do góry - więc przy rozwartym wejściu nie łapią się śmieci i nie są wzmacniane, ani też ewentualne zakłócenia wysokiej częstotliwości nie wchodzą do wzmacniacza z sygnałem, bo są wycinane. W każdym razie tak jak to rozumiem i z podobnymi wypowiedziami się spotkałem

Co do prądu spoczynkowego.... Tak sobie siedziałem myśląc nad tym układem już od chwili, wygląda mi to na układ current dump (nie wiem jak z polską nazwą - wspomaganie prądowe?). Czyli teoretycznie tranzystory końcowe nie pracują cały czas a przy większych obciążeniach.
W sumie ciekawe jest też podłączenie Q7A, Q8A - połączone jak diody, wykorzystane że to podwójne tranzystory w jednej obudowie co daje dobrą kompensację termiczną?
To tak "na moje", jak źle to sorry

Pozdrawiam,
A.

[Einherjer]

C6 ogranicza pasmo do góry - więc przy rozwartym wejściu nie łapią się śmieci i nie są wzmacniane, ani też ewentualne zakłócenia wysokiej częstotliwości nie wchodzą do wzmacniacza z sygnałem, bo są wycinane. W każdym razie tak jak to rozumiem i z podobnymi wypowiedziami się spotkałem

Ograniczenie dostawania się zakłóceń o częstotliwościach ponad-akustycznych jest zawsze dobrym pomysłem, chociaż dobrze zaprojektowany wzmacniacz nie powinien się wzbudzać pod ich wpływem. Pojemność tego kondensatora należałoby dobrać do rezystancji użytego potencjometru siły głosu.

Co do prądu spoczynkowego.... Tak sobie siedziałem myśląc nad tym układem już od chwili, wygląda mi to na układ current dump (nie wiem jak z polską nazwą - wspomaganie prądowe?).

Q7B i Q10 oraz Q8B i Q11 tworzą po prostu pary Sziklaiego.

Czyli teoretycznie tranzystory końcowe nie pracują cały czas a przy większych obciążeniach.

Tak by było, gdyby końcówka pracowała w czystej klasie B, bez prądu spoczynkowego. Wtedy faktycznie Q10 i Q11 włączałyby się tylko, gdy spadek napięcia na R13/R17 przekroczy około 0,6 V (napięcie B-E Q10/Q11). Tutaj końcówka ma pracować w klasie A, co oznacza, że przez Q7B i Q8B będzie płynąć około 4 mA (0,6 V/ 150 Om), a resztę przejmą Q10/Q11. Coś już wiemy, ale dalej nie znamy wartości sumarycznego prądu spoczynkowego Io, płynącego przez R14/R16.

W sumie ciekawe jest też podłączenie Q7A, Q8A - połączone jak diody, wykorzystane że to podwójne tranzystory w jednej obudowie co daje dobrą kompensację termiczną?
To tak "na moje", jak źle to sorry

Popatrzmy zatem jakie będzie napięcie między bazą Q7B a bazą Q8B, pomijając wpływ R9 i R11, które zastępujemy zwarciem. Z jednej strony napięcie to jest równe U_BE_Q7B + Io*R14 + Io*R16 + U_BE_Q8B, a z drugiej U_BE_Q7A + Iccs*R10 + U_BE_Q8A. Iccs znamy, bo jest to prąd źródła prądowego Q9, nieprzypadkowo wynoszący też około 4 mA. Q7A i Q7B oraz Q8A i Q8B są parami tego samego typu, parami w jednej obudowie i pracują z bardzo podobnym prądem spoczynkowym, więc możemy założyć, że U_BE_Q7A = U_BE_Q7B i podobnie U_BE_Q8A = U_BE_Q8B. Zostaje nam więc Io*(R14 + R16) = Iccs*R10. No to ile to w końcu będzie?