proste sztuczne obciazenie z MOSFET Pytania

[BenK]

Dobry Wieczor
Stwierdzilem ze mam dosyc kombinowania z rezystorami podczas testowania zasilaczy anodowych.
Przydalo by sie jakies regulowane sztuczne obciazenie.
Po prostu bym kupil ale nie ma na rynku niczego powyzej 200V. (za dostepne dla mnie srodki)
Wiec cos tam narysowalem, niestety w takiej elektronice to jestem calkiem slabowaty.
Wiec prosilbym znajacych sie "mosfeciarzy" o wypunktowanie bzdur, ewentualne dodanie tego co niezbedne w rzeczywistosci i tym popdobne.
Dane:
-na schemacie nie ma kondensatorow odsprzegajacyh zasilanie LM358
-zakladam maksymalne obciazenie na poziomie Imax=150 mA wydaje sie ze da rade na jednym mosfecie np.IRFP460 ?
-na schemacie jest LM385-1.2V ale w sumie nizej 170 V schodzic nie zamierzam wiec sumie moglo by byc 2.5 ?
-rezystor 1 K w bramce Mosfeta ?
-rezystor 1R zrodle mosfeta to zasadniczo pomiarowy niby duzy ale prad ale mocowo tu ulamek Wata a ulatwi pomiar
-to czego calkiem nie wiem to wielkosc rezystora ograniczajcego prad LM385

electronic load.jpg

Z checia poczytam podpowiedzi madrzejszych.

[Olkus]

IRFP460 raczej podoła, choć to głównie zależy jakie napięcia i prądy chcesz osiągać. Jak niewielkie to OK. Bo np. 450V i 0,3A to już spora moc tracona. Chłodzenie musi być porządne i raczej poszedłbym w aktywne (wentylator) jeśli całość ma mieć sensowne rozmiary. Dużą moc lepiej się odprowadza z kilku tranzystorów, powyżej 100W z jednego już jest ryzykowne ale przy kilku MOSFET-ach dochodzą problemy z nierównomiernym rozkładaniem się obciążenia, coś za coś niestety.
Temat ciekawy, sam bym coś takiego w sumie złożył. Powodzenia.

Pozdrawiam,
A.

[BenK]

Kilka mosfetow to trzeba by dac kilka wzmacniaczy operacyjnych a tego to ja juz nie ogarne wiec sie ograniczylem ) do 150mA i do 350V.
Chlodzenie z wentylatorem, moze jakis heat pipe ze zlomowanego nootebooka, ale to problem mozna powiedziec mechaniczny a to dla mnie nie jest problemem.

[Tomasz Gumny]

Zakładając minimalne napięcie zasilające rzędu 170v, możesz dodać szeregowo do irf460 diodę Zenera ~150V „wzmocnioną” tranzystorem. To odciąży tranzystor regulacyjny.
Podczas obciążania niższych napięć można tą „diodę” zwierać.
Można też zmodyfikować Twój schemat rozdzielając prąd na kilka tranzystorów.

[Olkus]

Kilka mosfetow to trzeba by dac kilka wzmacniaczy operacyjnych a tego to ja juz nie ogarne wiec sie ograniczylem ) do 150mA i do 350V.
Chlodzenie z wentylatorem, moze jakis heat pipe ze zlomowanego nootebooka, ale to problem mozna powiedziec mechaniczny a to dla mnie nie jest problemem.

To powinno się taką moc dać rozproszyć bez wentylatora przy odpowiednim radiatorze. A wtedy można by wyeliminować konieczność osobnego zasilania wzmacniacza operacyjnego i zastosować przetwornicę buck na LNK302, dzięki czemu zasilanie byłoby z wysokiego napięcia podanego na układ.

Pozdrawiam,
A.

[brys]

Kilka mosfetow to trzeba by dac kilka wzmacniaczy operacyjnych a tego to ja juz nie ogarne

Podłączę się do tematu, jako że być może też kiedyś będę musiał sobie taki przyrząd zbudować.

Czy takie połączenie jak na załączonym obrazku nie pozwoliłoby na w miarę równe rozdzielenie prądów między MOSFETy?

[Einherjer]

Po prostu bym kupil ale nie ma na rynku niczego powyzej 200V. (za dostepne dla mnie srodki)

RomekD podrzucił mi kiedyś prosty sposób zwiększenia maksymalnego napięcia sztucznego obciążenia "z półki". Należy mianowicie użyć wysokonapięciowego MOSFETa w układzie kaskody, czyli "plus" testowanego zasilacza do drenu tranzystora, źródło dalej do sztucznego obciążenia, a bramka do napięcia na przykład 15 V. W ten sposób na sztucznym obciążeniu będzie się odkładać około 11 V a reszta na MOSFET.

-zakladam maksymalne obciazenie na poziomie Imax=150 mA wydaje sie ze da rade na jednym mosfecie np.IRFP460 ?

Do około 70 W powinno się dać odprowadzić przy użyciu na przykład radiatora z CPU, oczywiście z działającym wentylatorem. Całkiem możliwe, że masz jakiś zachomikowany ze starego PCta

-na schemacie jest LM385-1.2V ale w sumie nizej 170 V schodzic nie zamierzam wiec sumie moglo by byc 2.5 ?

Nie wiem co ma 170 V do napięcia odniesienia. To bowiem zależy raczej od doboru rezystora pomiaru prądu. Jak masz 1 Om, to przy 200 mA będzie maks 200 mV i tyle chcesz wtedy podać na wejście nieodwracające opampa. Trzeba by zatem zamiast tylko potencjometru zastosować jeszcze rezystor w szeregu "od góry", żeby potencjometrem nie dało się ustawić więcej niż te 200 mV, według Twojego schematu można ustawić 1,2 V, czyli 1,2 A prądu. LM358 ma tranzystory bipolarne na wejściach, nie szalałbym z rezystancjami, potencjometr dałbym raczej 10-20 kOm, a nie 100 kOm.

-rezystor 1 K w bramce Mosfeta ?

Co Ci wpadnie w ręce przedziale 1 kOm do 10 Kom, ale blisko samego tranzystora i cały montaż powinien być zwarty. Dawno temu sobie radośnie zmontowałem podobny układ z długimi przewodami do MOSFETa i rezystora pomiarowego na radiatorze i się pięknie wzbudziło.

-rezystor 1R zrodle mosfeta to zasadniczo pomiarowy niby duzy ale prad ale mocowo tu ulamek Wata a ulatwi pomiar

Przy tych prądach to nawet nad 10 Om bym się zastanawiał, szczególnie, że LM358 precyzją nie grzeszy, OIDP to ma 4 mV maksymalnego napięcia niezrównoważenia. Przy rezystorze pomiarowym 1 Om to się przełoży na 4 mA a przy 10 Om na 0,4 mA.

-to czego calkiem nie wiem to wielkosc rezystora ograniczajcego prad LM385 electronic load.jpg

Ma być taki, żeby z prawa Ohma wyszedł Ci prąd zadowalający źródło napięcia odniesienia. Karty katalogowe go podają. Jak zastosujesz coś popularnego typu TL431 czy LM385 to około 5 mA będzie dobre.

[Einherjer]

Kilka mosfetow to trzeba by dac kilka wzmacniaczy operacyjnych a tego to ja juz nie ogarne

Podłączę się do tematu, jako że być może też kiedyś będę musiał sobie taki przyrząd zbudować.

Czy takie połączenie jak na załączonym obrazku nie pozwoliłoby na w miarę równe rozdzielenie prądów między MOSFETy?

Z dokładnością do tolerancji rezystorów pomiarowych i napięć niezrównoważenia opampów tak. To właściwie dwa połączone równolegle sztuczne obciążenia.

[atom1477]

-rezystor 1 K w bramce Mosfeta ?

Moim zdaniem za dużo. 100 R byłby lepszy. 1 k to już dość dużo, i będzie to długo przeładowywało bramkę MOSFETa co może doprowadzić do wzbudzania się układu.