Stabilizator wysokiego napięcia o wydajności 0,5A

[Marek7HBV]

A można by było prosić o pokazanie jak ma to wyglądać na schemacie? Jak zobaczę to lepiej zrozumiem niż czytając jakikolwiek opis, nawet bardzo szczegółowy

Pozdrawiam,
A.

W zasadzie,zanim zaczniemy przerabiać układ,należy w pierwszej kolejności uruchomić przetwornicę ,,420V,, i przetestować jej parametry pod różnym obciążeniem{od ,,0,, prądu pobieranego ,do przynajmniej 0,6A}.Bo może być dziwnie i strasznie .

[Olkus]

Jestem na etapie uruchamiania przetwornicy, szukam zwarcia w obwodzie sterownika, bo napięcie zasilania tegoż są baaaardzo zaniżone
Jak uruchomię to czym to najlepiej obciążyć?

Pozdrawiam,
A.

[Romekd]

Czołem.
Panowie, choć układy przedstawione w tym wątku są stosunkowo proste, w ostatnim czasie (przez jakieś dwa ostatnie lata... ) kilkanaście, a może nawet i kilkadziesiąt osób prosiło mnie o wytłumaczenie na Forum zasady działania wszystkich tych stabilizatorów, choć na większość zadawanych przez te osoby pytań, moje odpowiedzi już się tutaj w wątku znajdują... Proszono mnie by było to tłumaczenie "łopatologiczne", czyli takie, by nawet zupełnie początkujący elektronik zrozumiał zasadę działania przedstawionych przeze mnie schematów. Spróbuję to właśnie zrobić, gdyż indywidualne odpowiadanie każdemu z Was pochłonęłoby zbyt wiele czas (do tej pory często tak właśnie czyniłem, odpowiadałem na pytania różnym osobom poprzez wymianę prywatnych wiadomości, po czym kolejne, inne już osoby zadawały mi podobne pytania, znowu prosząc o dokładne wytłumaczenie opisywanych układów. Zaawansowanych elektroników proszę o pominięcie i nieczytanie moich kolejnych wpisów, gdyż będzie to "elektroniczne przedszkole" (niestety nie mamy na Forum działu "Półprzewodniki dla początkujących"... ). Proszę też osoby biorące do tego momentu udział w dyskusji by nie odnosiły tego co napiszę do siebie, gdyż większość z nich doskonale zdaje sobie sprawę z tego jak działają opisane w temacie układy.

Analizując temat zwarć i wytrzymałości na nie tranzystorów typu Mosfet w układach stabilizatorów liniowych, muszę wspomnieć o kilku problemach, pojawiających się przy próbie szybkiego wyłączenia tranzystora z rosnącym na nim gwałtownie napięciem. Pierwszy z problemów stanowią pojemności wewnętrzne tego typu elementów. Gdybym zadał pytanie elektronikom-praktykom, która z pojemności ma najwyższą wartość w tranzystorach typu Mosfet, jestem niemal pewny, że większość z nich odpowiedziałaby, że jest to pojemność bramka-źródło, która ich zdaniem w większości tych tranzystorów jest kilkadziesiąt, a niekiedy nawet kilkaset razy większa od pojemności bramka-dren i w tranzystorach wysokonapięciowych większej mocy potrafi ona wynosić od kilkuset pikofaradów do kilkunastu nanofaradów. Niestety nie jest to do końca prawdą, a jest raczej przypadkiem szczególnym, gdyż w tabelach not katalogowych z reguły podawane są pojemności poszczególnych wyprowadzeń tranzystora dla zerowego napięcia bramki, odniesionego względem źródła oraz wynoszącego co najmniej 25 V (lub 50 V) napięcia dren-źródło. Jest to więc stan, w którym tranzystor jest całkowicie wyłączony (praktycznie zerowy prąd drenu) i w którym dren ma mocno ujemny potencjał względem bramki i źródła. Niestety zmniejszając napięcie między drenem i źródłem mamy do czynienia z szybko rosnącymi pojemnościami dren-bramka oraz dren-źródło, przez co dla zerowego napięcia między wszystkimi wyprowadzeniami tranzystora największą pojemnością cechuje się z reguły obszar bramka-dren. Pojemności te przy próbie zwiększenia napięcia między drenem i źródłem przy "wiszącej w powietrzu" bramce powodują, że już przy kilku woltach dochodzi w niektórych typach tranzystorów do ich włączenia się i przepływu dużego prądu w obwodzie dren źródło. Zrobiłem próbę podłączając kilkanaście tranzystorów IRFP450 pod wyjście źródła prądowego o programowanej wartości prądu maksymalnego (w przedziale 100 μA...1 A) i maksymalnym napięciu 500 V. Napięcia, jakie ustaliły się na wyprowadzeniach tranzystorów, dla kilku wartości prądu drenu, przedstawia tabela poniżej (wszystkie zachowywały się podobnie, tabelka przedstawia wyniki dla losowo wybranych dwóch sztuk).

IRFP450_U_I.png

Jak widać z reakcji tranzystora na przyłożone do odpowiednich jego końcówek napięcie, próbuje się on samoczynnie włączyć, gdyż pojemności bramka-źródło i bramka-dren tworzą dzielnik, na którym odkłada się część napięcia przyłożonego do drenu. Poniżej parametry z tabelki noty katalogowej oraz ważny wykres, pokazujący jak zmieniają się wewnętrzne pojemności IRFP450 w zakresie napięć dren-źródło od 1 V do 50 V.

IRFP450_tab.png

IRFP450_pojemności_ładunek.png

Poniżej parametry innego wysokonapięciowego tranzystora, typu STW13NM60N, którego pojemność bramka-dren wg tabelki jest wyjątkowo niska (3,6 pF), gdyż zmierzona została dla napięcie dren-źródło 50 V i bramka-źródło 0 V.

STW13NM60N_parametry.png

Jednak analizując wykres widać wyraźnie, że dla niskich napięć dren-źródło (0.1 V) pojemność przejściowa Crss (pojemność bramka-dren) wynosi aż 1000 pF. I ten tranzystor podłączony do zasilacza z "wiszącą w powietrzu" bramką zaczyna przewodzić już przy napięciu kilku woltów. By do takich sytuacji podczas narastania napięcia na drenie względem źródła nie dochodziło lub efekt ten został mocno zredukowany (skrócony czas jego trwania i zmniejszona wartość prądu), rezystancja "widziana" przez bramkę w kierunku źródła tranzystora nie może być zbyt wysoka, gdyż uniemożliwia wówczas szybki odpływ ładunku gromadzonego na pojemnościach bramki. Wysoka rezystancja "widziana" przez bramkę Mosfeta może prowadzić do znacznego wzrostu prądu drenu podczas wzrostu napięcia dren-źródło, co ma właśnie miejsce w momencie wystąpienia zwarcia na wyjściach omawianych w tym wątku stabilizatorów i w pewnych sytuacjach może prowadzić do zniszczenia tranzystora. Pojemności w tranzystorze Mosfet zależą od bardzo wielu czynników, między innymi od napięć na wyprowadzeniach, prądów płynących przez kanał, temperatury i częstotliwości, a na dodatek potrafią się mocno różnić dla tranzystora o tym samym symbolu, ale wytwarzanego przez różnych producentów, a nawet tego samego producenta, ale z różnych okresów produkcji...

Kolejny wykres przedstawia zależność prądu drenu przy napięciu Uds=20 V dla zmian napięcia bramki względem źródła.

STW13NM60N_parametry_2.png

Widać na nim, że dla napięcia z przedziału 0...3,7 V w temperaturze pokojowej przez tranzystor prąd praktycznie nie płynie, natomiast dla napięcia bramki z przedziału 4 V do 6 V prąd drenu rośnie od kilkuset mA do 22 A przy napięciu Uds=20 V.

Ciąg dalszy w następnym poście.

Pozdrawiam
Romek

[Marek7HBV]

Jak uruchomię to czym to najlepiej obciążyć?

Pozdrawiam,
A.

Od 47k/5W do 820/250W?

[Romekd]

Czołem.
W latach 80. zeszłego stulecia jeden z inżynierów firmy National Semiconductor opracował układ prostego wysokonapięciowego stabilizatora, wykorzystując popularny układ LM317T. Sam układ stabilizacji napięcia został poprzedzony regulatorem-ogranicznikiem napięcia z tranzystorami bipolarnymi, które w tamtym czasie nie miały zbyt wysokich parametrów (niewielka moc strat przy wyższym napięciu /SOA - https://en.wikipedia.org/wiki/Safe_operating_area / i przeciętne wzmocnienie prądowe), przez co maksymalnym prąd wyjściowy został ograniczony do 25 mA. Poniżej schemat dwóch wersji tego układu, przy czym druga z nich miała zapewniać większą precyzję.

National Semiconductor_1980_1.png

National Semiconductor_1980_2.png

Układy przy zapewnieniu odpowiedniego chłodzenia tranzystorom były odporne na zwarcia i pozwalały na regulację i stabilizację napięcia wyjściowego w zakresie od 1,2 V (8 V) do 160 V przy poborze prądu, jak już wspomniałem do 25 mA i napięciu zasilania >170 V. W przypadku wystąpienia na wyjściu układu pełnego zwarcia, tranzystory Q1 i Q2 stawały się układem stabilizującym napięcie na emiterze drugiego z tranzystorów, zapewniając na nim napięcie o wartości ok. 5 V (stabilizowane przez diodę Zenera D1, 6,2 V, pomniejszone o dwa spadki napięcia na złączach baza-emiter tranzystorów Q1 i Q2 /6,2 V-(2x0,6 V) = 5 V/). Ponieważ obciążeniem wyjścia z Q2 w układzie był jeszcze obwód stabilizatora LM317T, pobierający jakieś 2 V, na rezystor R3 (100 Ω) pozostawało ok. 3 V, co zapewniało ograniczenie prądu zwarciowego do ok. 30 mA. Przy braku rezystora R3 ograniczenia prądu zwarcia nie byłoby wcale (poza tym w LM-ie, ale ono na nic by się nie zdało) i cały układ nie byłby na zwarcia i przeciążenia odporny.

Kilka lat temu zmodyfikowaną wersję tego stabilizatora na LM317T wykonał Kol. Łukasz (OTLamp), zastępując tranzystory bipolarne Q1 i Q2 unipolarnym IRFP450. W układzie dostrzegł jednak irytującą wadę, o której mi opowiedział. Układ wytrzymywał jedno czy dwa zwarcia wyjścia, jednak przy trzecim lub kolejnym ulegał poważnej awarii (uszkadzał się w nim tranzystor IRFP450, stabilizator LM317T i kilka innych elementów). Poniżej schemat rozwiązania Łukasza:

1_Stabilizator1.jpg

Niby w układzie było zabezpieczenie przeciwzwarciowe z tranzystorem bipolarnym, jednak nie za każdym razem działo poprawnie. Łukasz wykonał więc kolejny najprostszy układzik stabilizatora. Jednak ten również po kilku zwarciach ulegał uszkodzeniu. Poniżej jego schemat.

2_Stabilizator2.jpg

a później prosty elektroniczny ogranicznik prądu z IRFP450, który zachowywał się tak jak poprzednie...

3_Ogranicznik_I.png

Układ został przetestowany programem komputerowym, który pokazał problem z wyłączaniem się tranzystora IRFP450. Każdemu zwarciu na wyjściu towarzyszył krótki impuls prądu o dużej amplitudzie, który po kilku powtórzeniach uszkadzał tranzystor w rzeczywistym układzie. Przyczyną okazał się rezystor antyparazytowy o zbyt dużej oporności (1 kΩ). Poniżej wyniki symulacji dla rezystora antyparazytowego o wartości: 10 Ω, 100 Ω, 1 kΩ i 10 kΩ.

4_R4-1R.png

5_R4-100R.png

6_R4-1kR.png

7_R4-10kR.png

Dla rezystora o oporności 10 kΩ prąd w impulsach osiągał kilka amperów. Układy po zastąpieniu rezystorów antyparazytowych nowymi o wartości 47 Ω i wymianie tranzystorów na 2SK1120 (skończyły się IRFP450) wytrzymują każde zwarcie wyjścia i od tamtej pory działają zupełnie poprawnie.

Z ciekawości sprawdziłem jak zmienia się pojemność bramka-dren w jednym z IRFP450 i dla napięcia Uds=0 V pojemność ta wyniosła 4,6 nF, przy 1 V spadła do ok 3,5 nF, przy 2 V miała 2,7 nF, przy 3 V ok. 2,2 nF, przy 4 V 2 nF, przy 5 V 1,8 nF, przy 10 V 1,2 nF, a przy 25 V wynosiła ona już tylko 417 pF. Niezła "dioda pojemnościowa" Ciekawe czy dałaby się jakoś praktycznie wykorzystać?

Pozdrawiam
Romek

[OTLamp]

Pewnym błędem, jaki wtedy popełniłem, był sposób włączenia tranzystora ogranicznika - kolektor dołączony za rezystorem antyparazytowym, zamiast bezpośrednio do bramki, przez co wartość tego rezystora stała się krytyczna. Obawiałem się wtedy tendencji do podwzbudzania na granicy zadziałania ogranicznika.

[Romekd]

Jestem na etapie uruchamiania przetwornicy, szukam zwarcia w obwodzie sterownika, bo napięcie zasilania tegoż są baaaardzo zaniżone
Jak uruchomię to czym to najlepiej obciążyć?

Przy braku odpowiednich rezystorów dużej mocy i aktywnego, programowanego obciążenia, do obciążenia wyjścia przetwornicy można wykorzystać dwie połączone szeregowo żarówki o napięciu pracy 230 V, koniecznie o tej samej mocy pobieranej. Przy dwóch żarówkach o mocy 100 W uzyskamy ok. 0,4 A, dwie o mocy 25 W dadzą ok. 100 mA obciążenia. W handlu dostępne są tanie żarówki o mocach: 25, 40, 60, 75 i 100 W. Przez ich odpowiednie łączenie możemy dobrać odpowiedni poziom obciążenia przetwornicy. Można też włączyć szeregowo z żarówkami pokazany przeze mnie w poprzedniej wypowiedzi najprostszy regulator napięcia (nawet pozbawiony diod Zenera), co umożliwi płynną regulację obciążenia z wydzieleniem większej części mocy na żarówkach, które w ten sposób odciążą szeregowy tranzystor.

Pozdrawiam
Romek

[Romekd]

Pewnym błędem, jaki wtedy popełniłem, był sposób włączenia tranzystora ogranicznika - kolektor dołączony za rezystorem antyparazytowym, zamiast bezpośrednio do bramki, przez co wartość tego rezystora stała się krytyczna. Obawiałem się wtedy tendencji do podwzbudzania na granicy zadziałania ogranicznika.

Gdy dowiedziałem się, że jeden z wykonanych przeze mnie stabilizatorów uszkodził się u mojego znajomego (podczas przypadkowego zwarcia się przewodów), pomyślałem, że wartość prądu bramki podczas odprowadzania ładunku do źródła może być dość spora, co skłoniło mnie do zmiany tranzystora BC548B na mocniejsze typu BC635, BC637, BC639 z grupą wzmocnienia 16 (w obudowach TO-92; stosując je należy pamiętać o innym rozkładzie wyprowadzeń w stosunku do tych w tranzystorach BC546...BC550) lub BD135/BD137/BD140 z grupy 16 (w płaskiej obudowie znajdują się te same struktury co tranzystorach wymienionych przeze mnie wcześniej), a następnie do zastosowania łatwo dostępnego w tamtym czasie (okazuje się że dzisiaj również jest on dostępny, choć może innych producentów) japońskiego tranzystora 2SD965-R (Panasonic), montowanego w małej obudowie TO-92, którego dopuszczalny prąd kolektora wynosi aż 5 A (impulsowy do 8 A) i który charakteryzuje się również stosunkowo dużym wzmocnieniem prądowym. Poniżej fragment karty tranzystora BC548B.

BC548.png

i tranzystora 2SD965, kosztujące w TME kilkadziesiąt groszy za sztukę.

2SD965_Panasonic.png

BC548B ma maksymalny prąd kolektora 100 mA (200 mA w impulsie). Największe wzmocnie występuje dla prądów kolektora w okolicach 25 mA, a później wartość wzmocnia prądowego zaczyna spadać, i to dla napięcia Uce=10 V. Tranzystor 2SD965, montowany w tej samej obudowie co BC548B ma dopuszczalny prąd kolektora równy 5 A (wartość szczytowa prądu Ic to 8 A). Przy prądzie kolektora 5 A jego wzmocnie prądowe nadal jest wysokie (w temperaturze pokojowej wynosi 150) i to przy napięciu Uce=2 V. Przy prądzie kolektora 1 A i prądzie bazy 33 mA typowy spadek napięcia między emiterem i kolektorem wynosi w 2SD965 jedynie 0,1 V. Dodatkowo tranzystor jest szybszy od np. BD135. Zmieniłem również dwa rezystory (R14 i R15) i później montowałem już wartość jak na schemacie poniżej.

5_Stabilizator Rom_1A.png

Zastanawiałem się wtedy również nad zastosowaniem drugiego takiego tranzystora jako ogranicznika prądu przy większym spadku napięcia na szeregowym tranzystorze regulacyjnym. Wartość napięcia, przy którym prąd byłby ograniczany ustawiałoby się przez dobór wartości rezystorów R13, R16 i diody D5. Równolegle z R16 można byłoby włączyć równolegle dodatkowy kondensator, który opóźniałby załączanie się dodatkowego zabezpieczenia, dając szansę naładowania się kondensatorów o większej pojemności, które np. zawierałoby zasilane z układu urządzenie.

6_Stabilizator Rom_2A.png

Te ,,ok 300V,,-to wyjściowe ze stabilizatora.Ten kombajn ,czyli przetwornica dająca 420V i połączony z nią stabilizator może dać napięcie wyjściowe w zakresie ok.50-350V.W układach lampowych w tym zakresie napięć rzadko kiedy potrzebny jest większy prąd niż 200mA.A nawet gdy zdarzy się taka potrzeba to żaden problem{można płynnie regulować prąd wyjściowy w zakresie np.50-500mA},pamiętając że powyżej połowy trzeba uważać.

A można by było prosić o pokazanie jak ma to wyglądać na schemacie? Jak zobaczę to lepiej zrozumiem niż czytając jakikolwiek opis, nawet bardzo szczegółowy

Regulacja mogłaby wyglądać jak na schemacie poniżej. To jeden z wariantów takiej regulacji, gdyż zamiast regulacji płynnej można przełączać rezystory w obwodzie źródła Mosfeta i mieć "skokowe" przełączanie wartości prądu maksymalnego.

7_Stabilizator Rom_1A2.png

Rezystor R13 jest w tym obwodzie niezbędny, by nie dało się całkowicie wyłączyć ograniczenia prądowego.

Pozdrawiam
Romek

[Marek7HBV]

Ciekawe jak zachowałby się ten stabilizator,gdyby w dren T4 włączyć szeregowo żarówkę 100W,zwartą przekażnikiem sterowanym detektorem różnicy napięcia wejściowego i wyjściowego.Zapewne pogorszyłby właściwości dynamiczne i wymagałby dodatkowego zasilacza przekażnika,ale w amatorskim zastosowanie ewentualny koszt żarówki byłby uzasadniony.

[Olkus]

Jak uruchomię to czym to najlepiej obciążyć?

Pozdrawiam,
A.

Od 47k/5W do 820/250W?

Trochę spory ten 250W i drogi...

Jestem na etapie uruchamiania przetwornicy, szukam zwarcia w obwodzie sterownika, bo napięcie zasilania tegoż są baaaardzo zaniżone
Jak uruchomię to czym to najlepiej obciążyć?

Przy braku odpowiednich rezystorów dużej mocy i aktywnego, programowanego obciążenia, do obciążenia wyjścia przetwornicy można wykorzystać dwie połączone szeregowo żarówki o napięciu pracy 230 V, koniecznie o tej samej mocy pobieranej. Przy dwóch żarówkach o mocy 100 W uzyskamy ok. 0,4 A, dwie o mocy 25 W dadzą ok. 100 mA obciążenia. W handlu dostępne są tanie żarówki o mocach: 25, 40, 60, 75 i 100 W. Przez ich odpowiednie łączenie możemy dobrać odpowiedni poziom obciążenia przetwornicy. Można też włączyć szeregowo z żarówkami pokazany przeze mnie w poprzedniej wypowiedzi najprostszy regulator napięcia (nawet pozbawiony diod Zenera), co umożliwi płynną regulację obciążenia z wydzieleniem większej części mocy na żarówkach, które w ten sposób odciążą szeregowy tranzystor.

Pozdrawiam
Romek

Żarówka to dobry pomysł, będzie tanio bo opór 250W tani nie jest.

A ten układ w poście z godziny 19:36 jest całkowicie odporny na zwarcia i przeciążenia? Tj. mogę go użyć jako regulator w moim zasilaczu i nie będzie rzadnych efektów pirotechnicznych (akurat w elektronice nie lubię wybuchów i fajerwerków ).

Pozdrawiam,
A.

[Olkus]

P. S.
Prąd jaki daje moja przetwornica jest stały, nie regulowany, nie licząc podkówki na płytce w okolicach przekładnika prądowego.

Pozdrawiam,
A.

[Einherjer]

tranzystora 2SD965, kosztujące w TME kilkadziesiąt groszy za sztukę

"Produkt dostępny tylko do wyczerpania stanów magazynowych." Farnell i Mouser nie mają w ogóle, nawet jako "obsolete". Śpieszmy się kochać tranzystory, tak szybko odchodzą. TME ma na stanie trochę NTE11, które wyglądają na ich odpowiednik (NTE to firma, która się specjalizuje w odpowiednikach wycofanych części), ale są kilkanaście razy droższe. Miałem zaproponować jako nowocześniejszy zamiennik ZTX951 albo ZTX851, ale TME nie ma ich na stanie, są u innych dystrybutorów, ale ceny też już rzędu kilku złotych za sztukę.

[Romekd]

Czołem.

A ten układ w poście z godziny 19:36 jest całkowicie odporny na zwarcia i przeciążenia? Tj. mogę go użyć jako regulator w moim zasilaczu i nie będzie żadnych efektów pirotechnicznych (akurat w elektronice nie lubię wybuchów i fajerwerków ).

W wypowiedzi z godziny 19:36 zamieściłem kilka schematów, ale przy poprawnym montażu, oryginalnym tranzystorze (lub kilku pracujących równolegle, najlepiej parowanych i z rezystorami wyrównawczymi w obwodach źródeł) oraz nieprzekraczaniu dopuszczalnej w danej temperaturze mocy strat, nie powinno być żadnych problemów. IRFP450 czy 2SK1120 są tranzystorami dość leciwymi, produkowanymi jeszcze w starej technologii, więc obecnie do budowy zasilacza regulowanego i stabilizowanego można posłużyć się elementami nowszymi, szczególnie że w podobnych obudowach (np. w TO-264 i PLUS 247) są już montowane tranzystory o dopuszczalnych mocach strat dochodzących do 1250 W, a także dopuszczalnym napięciu (Uds) równym 2,7 kV, np.dostępny w TME IXTX20N150 dopuszcza maksymalne napięcie 1,5 kV oraz do 1250 W strat mocy. Dopuszczalna moc takich tranzystorów i to nawet w wyższych temperaturach będzie nieporównywalnie większa niż tranzystora IRFP450 w tej samej temperaturze (do 100°C, bo przy 150...160°C będzie też zerowa). Ważnym elementem jest też odpowiednio dobrana dioda Zenera, włączona między bramkę i wyjście rezystora w obwodzie źródła tranzystora. Polecam też stosowanie bezpieczników na wyjściu i wejściu układu, koniecznie szybkich i z piaskiem gaszącym łuk, przyspieszającym przepalenie się bezpiecznika w razie awarii (zabezpieczy układ przed jeszcze poważniejszą).

Pozdrawiam
Romek

[Romekd]

Witam.

tranzystora 2SD965, kosztujące w TME kilkadziesiąt groszy za sztukę

"Produkt dostępny tylko do wyczerpania stanów magazynowych." Farnell i Mouser nie mają w ogóle, nawet jako "obsolete". Śpieszmy się kochać tranzystory, tak szybko odchodzą. TME ma na stanie trochę NTE11, które wyglądają na ich odpowiednik (NTE to firma, która się specjalizuje w odpowiednikach wycofanych części), ale są kilkanaście razy droższe. Miałem zaproponować jako nowocześniejszy zamiennik ZTX951 albo ZTX851, ale TME nie ma ich na stanie, są u innych dystrybutorów, ale ceny też już rzędu kilku złotych za sztukę.

Jest też wiele podobnych tranzystorów (o małej obudowie, szybkich, z dużym dopuszczalnym prądem i wzmocnieniem), nadal dostępnych. W TME nie ma co prawda ZTX851, ale są (tylko nico od nich słabsze) ZTX853. ZTX951 to już tranzystor PNP, więc w tych układach nie znajdzie zastosowania. Na rynku było też (może nadal są) sporo tranzystorów japońskich o doskonałych parametrach. Montowane w większości monitorów komputerowych LCD tranzystory 2SC5707 pewnie też byłby do tych stabilizatorów wystarczająco odpowiednie Firmę NTE znam, choć również uważam, że ceny większości ich elementów są przesadnie wysokie, szczególnie że w wielu przypadkach na rynku znaleźć jeszcze można podzespoły oryginalne w normalnych cenach (za to te z NTE na pewno mają właściwe parametry)...

Pozdrawiam
Romek

[Olkus]

Czołem.

A ten układ w poście z godziny 19:36 jest całkowicie odporny na zwarcia i przeciążenia? Tj. mogę go użyć jako regulator w moim zasilaczu i nie będzie żadnych efektów pirotechnicznych (akurat w elektronice nie lubię wybuchów i fajerwerków ).

W wypowiedzi z godziny 19:36 zamieściłem kilka schematów, ale przy poprawnym montażu, oryginalnym tranzystorze (lub kilku pracujących równolegle, najlepiej parowanych i z rezystorami wyrównawczymi w obwodach źródeł) oraz nieprzekraczaniu dopuszczalnej w danej temperaturze mocy strat, nie powinno być żadnych problemów. IRFP450 czy 2SK1120 są tranzystorami dość leciwymi, produkowanymi jeszcze w starej technologii, więc obecnie do budowy zasilacza regulowanego i stabilizowanego można posłużyć się elementami nowszymi, szczególnie że w podobnych obudowach (np. w TO-264 i PLUS 247) są już montowane tranzystory o dopuszczalnych mocach strat dochodzących do 1250 W, a także dopuszczalnym napięciu (Uds) równym 2,7 kV, np.dostępny w TME IXTX20N150 dopuszcza maksymalne napięcie 1,5 kV oraz do 1250 W strat mocy. Dopuszczalna moc takich tranzystorów i to nawet w wyższych temperaturach będzie nieporównywalnie większa niż tranzystora IRFP450 w tej samej temperaturze (do 100°C, bo przy 150...160°C będzie też zerowa). Ważnym elementem jest też odpowiednio dobrana dioda Zenera, włączona między bramkę i wyjście rezystora w obwodzie źródła tranzystora. Polecam też stosowanie bezpieczników na wyjściu i wejściu układu, koniecznie szybkich i z piaskiem gaszącym łuk, przyspieszającym przepalenie się bezpiecznika w razie awarii (zabezpieczy układ przed jeszcze poważniejszą).

Pozdrawiam
Romek

Chodzi mi o wszystkie trzy schematy. Na ostatnim schemacie potencjometr P2 jest do regulacji prądu? I jaką wartość powinien mieć?
Te schematy z postu z godziny 19:36 chyba nie nadadzą się ze względu iż maksymalny ich prąd wyjściowy jest pięć razy mniejszy niż prąd z mojej przetwornicy
Ten wspomniany tranzystor ma rzeczywiście bardzo dobre parametry, tyle że jeden taki kosztuje aż 120 zł.
Więc chyba lepiej będzie z IRFP450 lub 2SK1120.
A jaką to dioda zennera powinna być może?
Nie słyszałem o bezpiecznikach z piaskiem gaszącym łuk, gdzie takowe można nabyć?

Pozdrawiam,
A.